凈化工程具體工藝對溫度的要求以后還要列舉，但作為總的原則看，由于加工精度越來越精細，所以對溫度波動范圍的要求越來越小。例如在大規模集成電路生產的光刻曝光工藝中，作為掩膜板材料的玻璃與硅片的熱膨脹系數的差要求越來越小。直徑100um的硅片，溫度上升1度，就引起了0.24um線性膨脹，所以必須有±0.1度的恒溫，同時要求濕度值一般較低，因為人出汗以后，對產品將有污染，特別是怕鈉的半導體車間，這種車間不宜超過25度。
濕度過高產生的問題更多。相對濕度超過55%時，冷卻水管壁上會結露，如果發生在精密裝置或電路中，就會引起各種事故。相對濕度在50%時易生銹。此外，濕度太高時將通過空氣中的水分子把硅片表面粘著的灰塵化學吸附在表面耐難以清除。相對濕度越高,粘附的難去掉，但當相對濕度低于30%時，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于表面，同時大量半導體器件容易發生擊穿。對于硅片生產最佳溫度范圍為35—45%。
潔凈室中的氣壓規定:
對于大部分潔凈空間，為了防止外界污染侵入，需要保持內部的壓力（靜壓）高于外部的壓力（靜壓）。壓力差的維持一般應符合以下原則：
1.潔凈空間的壓力要高于非潔凈空間的壓力。
2.潔凈度級別高的空間的壓力要高于相鄰的潔凈度級別低的空間的壓力。
3.相通潔凈室之間的門要開向潔凈度級別高的房間。
壓力差的維持依靠新風量，這個新風量要能補償在這一壓力差下從縫隙漏泄掉的風量。所以壓力差的物理意義就是漏泄（或滲透）風量通過潔凈室的各種縫隙時的阻力。